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ONFi 2.0标准草案出台 NAND接口速度提至133MB/s

存储时代 08年01月27日 【转载】 作者: 赵效民(编译)
存储时代11月16日报道: 由Intel主导发起的开放式NAND闪存接口(ONFi,Open NAND Flash Interface)工作组,于近日宣布了ONFi 2.0标准的0.9版草案,预计会在2008年1月正式发布2.0标准。

ONFi工作组目前共有71家会员公司,这次将要公布的2.0版标准将NAND闪存接口的速度提升至133MB/s。当前NAND闪存的接口速度最高只有50MB/s,从而限制了许多闪存的应用,比如固态盘(SSD,Solid State Drive)。在未来的第三代版本中,ONFi计划将NAND的接口速度提升至400MB/s,并将向下兼容现有的NAND闪存接口。

在2007年1月,ONFi发布了1.0版标准,主要的目的在于统一的NAND闪存接口的设计,而现在将要公布的第二版则在此基础上提升了传输速度,并保持与老版接口的兼容性。

ONFi通过两项技术来缩短数据在缓冲区中的交换传输用时。第一就是在DRAM领域里常用的DDR(Double Data Rate,双倍数据流)信号技术。第二,ONFi使用了源同步时钟来精确控制锁存信号,以使其达到更高的工作频率。这样做的好处在于,系统平台的设计者可以利用ONFi的统一命令标准,在构建系统时就将闪存纳入其中,比如将交错寻址与缓存命令相结合,可以进一步提高传输与并行效率。

ONFi 2.0版标准的0.9版草案现在已经开始向ONFi的会员提供,预计在2008年第1季度会提供线上版本。

ONFi表示,未来他们将会关注于用于PC的闪存模组的接口与外形方面的设计,它将会使未来的用户在向PC中增加闪存时就像现在增加内存时那样简便。第三个ONFi标准的版本计划在2009年完成。

《存储时代》评论:外部传输率不等于内部传输率

熟悉硬盘的人都知道,硬盘有两个传输率的概念,一个是缓冲区与接口之间的外部传输率,一个是缓冲区与磁头之间的内部传输率。接口方面,硬盘已经提升到了SATA 3.0Gb/s(300MB/s)的速度,而内部的传输率最高在100MB/s左右。而我们要知道ONFi是一个接口标准,并不能说它提升到133MB/s,内存的实际传输率就真的可以达到这个水平。从硬盘测试中,我们能发现,对于单硬盘来说,SATA 300MB/s相对于150MB/s最大的区别只是突发传输率,可这对于实际的性能并没有什么本质的影响。

目前制约NAND速度的并不是接口速度,而是闪存本身的技术所限制,尤其是写入速度,这对于MLC型的NAND闪存更是致命的弱点。因此接口的改进对它的帮助并不大。所以,对于我们来说,即使133MB/s的接口现在就投入使用,也还不要太乐观。

不过,ONFi已经将一个最大的难题解决,那就是NAND闪存各厂商之间的产品接口不统一的问题(当然,三星与东芝这两个NAND巨头并没有加入ONFi),也为未来的发展辅平的道路,而且我们要再往远了看,高性能的新一代NVRAM也完全可以沿用ONFi。

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