1、 null
2、 所示
3、 9015 为 PNP 型三极管结构
4、 集电极与发射极间电压为负45伏
5、 集电极与基极间耐压为50伏
6、 发射极与基极间电压为负五伏
7、 集电极电流为0.1安培
8、 功率损耗为0.45瓦
9、 结温上限150℃
10、 特征频率平均值为300兆赫
11、 放大倍数分别为：A档60至150倍，B档100至300倍，C档200至600倍，D档400至1000倍。
12、 补充信息：
13、 电子三极管，又称电子管，是早期电子器件中的重要组成部分。
14、 双极结型晶体管（BJT）是一种通过电子和空穴两种载流子导电的半导体器件，具有电流放大作用。
15、 J型场效应管，即结型栅极场效应晶体管，是一种通过电压控制电流的半导体器件，利用PN结作为栅极来调控导电沟道的宽窄。
16、 金属氧化物半导体场效应晶体管，英文全称为Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，简称MOSFET，是一种利用电场控制电流的半导体器件，广泛应用于放大和开关电路中，具有输入阻抗高、功耗低等优点。
17、 V型槽场效应管，全称为垂直金属氧化物半导体场效应管，简称VMOS，是一种具有V形槽结构的功率场效应晶体管。
18、 这三种器件虽然外观类似场效应管，但金属氧化物半导体场效应晶体管和V型槽沟道场效应管实际上属于单极结构，与双极型器件相对应。由于它们的工作机制依赖单一载流子导电，因此可统称为单极晶体管，突显其在结构和原理上的共性，区别于依赖两种载流子工作的双极型晶体管。
19、 J型场效应管属于非绝缘型，而MOS FET与VMOS则为绝缘型场效应管。
20、 9013三极管参数详解，源自百度百科资料。
